Zapraszamy serdecznie na Środowiskowe Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w środę, 31 maja 2017 o godz. 9:00, w sali 108, w budynku D-10 (WFiIS AGH) przy ul. Reymonta 19.

Układy wielowarstwowe złożone z cienkich warstw metalicznych stosowane są jako elementy elektroniki spinowej takie jak nieulotne pamięci M-RAM (Magnetoresistive Random Access Memory) czy STT-RAM (Spin Transfer Torque-RAM), detektory ultrasłabych pól magnetycznych oraz generatory, detektory i filtry mikrofalowe. Struktura krystalograficzna układów wielowarstwowych ma ogromny wpływ na ich docelowe własności elektryczne i magnetyczne. W celu otrzymania pożądanych parametrów niezbędnym jest wytworzenie układów, które mają odpowiednie uporządkowanie krystalograficzne, teksturę czy gładkość interfejsów na granicach warstw. Aby to osiągnąć, oprócz warstw magnetycznie czynnych mających bezpośredni wpływ na parametry elementu spintronicznego, niezbędny jest odpowiedni dobór warstw buforowych i przykrywających. Na przykładzie magnetycznych złącz tunelowych oraz układów wykazujących sprzężenie spinowo-orbitalne (spinowy efekt Halla) przedstawione będą badania wpływu parametrów mikrostrukturalnych układów warstwowych na własności elementów spintronicznych, takie jak sprzężenia międzywarstwowe, anizotropia czy grubość warstwy magnetycznie martwej.

Zapraszamy serdecznie na Środowiskowe Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w środę, 24 maja 2017 o godz. 9:00, w sali 108, w budynku D-10 (WFiIS AGH) przy ul. Reymonta 19.

Układy wielowarstwowe wykazujące anizotropię magnetyczną prostopadłą do ich powierzchni (PMA) są bardzo interesujące z punktu widzenia ich zastosowań w spintronice, na przykład jako nośniki pamięci masowej o dużej gęstości zapisu (patterned media), komórki pamięci M-RAM, układy logiczne lub nanooscylatory mikrofalowe. Pożądanym jest, aby proces przemagnesowywania takich elementów był jak najbardziej jednorodny (ściśle określony stan komórki pamięci, jednorodny ruch ściany domenowej w układach logicznych, koherentna rotacja namagnesowania w oscylatorze), toteż omówione zostaną metody charakteryzacji magnetooptycznej (objętość Barkhausena, średnia dyspersja energii anizotropii) układów cienkowarstwowych po ich naniesieniu (wafer-level) oraz modele wiążące ze sobą własności magnetyczne i mikrostrukturalne. Metody te omówione zostaną na przykładzie układów cienkowarstwowych o różnym stopniu złożoności, naniesionych na różnych rodzajach warstw buforowych.

Zapraszamy serdecznie na Środowiskowe Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w środę, 17 maja 2017 o godz. 9:00, w sali 108, w budynku D-10 (WFiIS AGH) przy ul. Reymonta 19.

Związki Heuslera są bardzo ciekawą klasą materiałów - charakteryzują się różnorodnością własności elektronowych w stanie podstawowym, a przez to są niezwykle atrakcyjnymi materiałami zarówno z punktu widzenia badań podstawowych, jak również ich technologicznego wykorzystania. Struktura związków Heuslera składa się z czterech podsieci kubicznych powierzchniowo centrowanych, w których może występować różnego typu nieporządek obsadzeń , w zależności od składu chemicznego ale również obróbki termicznej. Kluczowym warunkiem decydującym o racjonalnym projektowaniu oraz wykorzystaniu tej klasy materiałów jest dokładna znajomość związku między strukturą a własnościami fizycznymi. W trakcie wykładu omówione zostanie wykorzystanie metody Jądrowego Rezonansu Magnetycznego ( NMR) do badań lokalnego porządku strukturalnego, co umożliwia projektowanie własności elektronowych i magnetycznych, w szczególności manipulowanie położeniem poziomu Fermiego w przerwie zabronionej (gap engineering). Omówione zostaną badania 59Co oraz 55Mn NMR w potrójnych (Co₂YZ, (Y=Fe, Mn oraz Z=Al, SI) oraz poczwórnych (Co₂Mn_(1-x)FexSi oraz Co₂FeSi_(1-x)Alx) związkach Heuslera, dla których obliczenia struktury elektronowej przewidują występowanie silnej polaryzacji spinowej elektronów przewodnictwa.

Zapraszamy serdecznie na Środowiskowe Seminarium Fizyki Ciała Stałego, które odbędzie się w środę, 10 maja 2017 o godz. 9:00, w sali 108, w budynku D-10 (WFiIS AGH) przy ul. Reymonta 19.

Na przestrzeni ostatnich lat można zaobserwować wzmożone zainteresowanie wykorzystaniem polimerów pochodzenia biologicznego w dziedzinach techniki, w których wcześniej ich nie stosowano. Jedną z najbardziej atrakcyjnych dziedzin tego rodzaju jest elektronika i optoelektronika. W szczególności dotyczy to nowych urządzeń (elementów) wykonanych w całości lub w przeważającej części z materiałów organicznych. W literaturze można znaleźć wiele opisów takich urządzeń, zmodyfikowanych przez wprowadzenie DNA w formie stałej.

Zastosowania DNA w technice można podzielić na takie, w których przedmiotem zainteresowania są pojedyncze makrocząsteczki DNA oraz takie, w których DNA traktowany jest jako ciągły ośrodek makroskopowy posiadający własności niedostępne polimerom syntetycznym. Jako przykład udanego zastosowania DNA w postaci stałego biopolimeru można podać organiczne diody elektroluminescencyjne typu OLED, organiczne tranzystory polowego (OFET), struktury fotowoltaiczne czy w konstrukcji ogniw paliwowych.

Referat omawia osiągnięcia ostatnich lat w tej dziedzinie. Przedstawione zostaną także ograniczenia, które towarzyszą wykorzystaniu DNA w nowej roli.